什么是MOS管MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形

MOS管的结构原理1、结构和符号（以N沟道增强型为例）在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。其他MOS管符号2、工作原理（以N沟道增强型为例）1）VGS=0时，不管VDS极

MOS管的三个极分别是：G（栅极）,D（漏极）,S（源极），要求栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。1）判断栅极GMOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用：假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用

MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。其步骤如下：假如有阻值没被测MOS管有漏电现象。1、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好2、然后一根导线把MOS

1.导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。假如在MOS的G与S两端加电压10V，D与S之间通1A电流，在G与S两端的压降为6mV,那此MOS导通内阻约